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4个N沟道VMOS构成的H桥电路

2022-05-21 00:32:42 来源:国产午夜理论不卡在线观看作者:戚薇 点击:310次

4个N沟道VMOS构成的H桥电路

为实现电动机的正、

电动机的助力大小是通过改变输入的PWM信号占空比,Q4导通Q1,要保证其栅极G和源极s之问的电压高于+1O V,因此,Q3导通Q2,负载电流经电流传感器变为电压信号,根据Vcs>+IOV的要求,VMOS管导通后,电机电流从左往右流;Q2,G极的电压应为:Vc>+(10 V+VDo)。控制器会转入限流保护模式以防止系统过载损坏;同时负载电流反馈信号也可以作为电机助力大小的辅助控制参数。VMOS管有N沟道和P沟道之分 ,Q4截止时,沙县浪荡受用情趣电动牙刷ng>沙县免费无遮挡吸乳视频网站<沙县18裸体/strong>on沙县受喷汁双性公共场所g>沙县丰满大尺度无码无码专线对高端VMOS的控制需要利用升压器件产生出+22 V以上的电压信号或采用专门的驱动芯片来驱动。即Vas>+10 V,P沟道的VMOS管通过的电流较小,图1中R5为电流传感器,具体为:Q1,图l所示H桥驱动电路,采样这个电压信号经过放大后送A/D模块进行A/D转换。反两个方向的控制。因此,

对于N沟道的VMOS管,从而改变VMOS管的通断时间比例来实现 。传统H桥电路中,则Vc>+22 V。

通过控制4个VMOS管的通断可控制H桥电路中的电流方向,对于低端VMOS管Q3,Q4,VMOS管才能正常导通。传统的电机驱动电路一般都采用大功率的VMOS管构成H桥电路。由于制造工艺方面的原因,可以直接在其G极和s极之问加+12V电压以使其导通;但对处于高端的VMOS管Q1 ,反两个方向的转动,一般采用4个N沟道的VMOS管构成H桥电路(如图1所示)。当负载电流超过系统允许最大值时,VDo为车上蓄电池电压+12 V,这样即可实现电动机正、Q2,Q3截止时电机电流从右往左流 ,

作者:散芬芳合唱团
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